Разработана новая технология хранения информации для мобильных устройств

18-08-2013: UEFIMA.RU:  Учеными разработана новая технология хранения информации для мобильных устройств, отличающаяся меньшими размерами при большей емкости, измеряемой у накопителей на ее основе в терабайта. Учеными разработана инновационная технология по изготовлению накопителей мобильных гаджетов. Ожидается, что технология может найти себя во всем спектре мобильных аппаратов, где требуется внутренняя память - от смартфонов и планшетников до цифровых камер. Основой технологии стала резистивная память, делающая очень маленькими ячейки памяти, что позволило производить накопители большего объема, нежели производящиеся сейчас по флеш-технологии. Для таких резистивных накопителей емкость, исчисляемая терабайтами, такой же стандарт, как для флешек - память в гигабайтах.

Кстати, в работе резистивные накопители показали высокую скорость. Ключевым принципом технологии являются своего рода нано-«островки», для изготовления которых используют оксид цинка, размещенный на кремниевой платформе. Такая схема позволяет отказаться от элемента типа устройства-переключателя, каковым обычно является диод.

Джанлин Лиу, являющийся одним из авторов технологии, заявил, что их разработка стала значительным шагом в деле широкого применения в электронике резистивной памяти, что не только упрощает процесс, но также существенно уменьшает затраты.

Напомним, что флеш-технология уже третье десятилетие является стандартом электронного производства, однако время требует от памяти большей емкости при одновременном уменьшении размеров.

Отметим, что сама резистивная память, которую называют еще металлоксид-металлической, отнюдь не является новинкой, но вот американские ученые продемонстрировали ее вариант, созданный по принципу нано-«островков» на основе оксида цинка.